ปัจจัยที่ส่งผลต่อลักษณะฮิสเทรีซิสของเซ็นเซอร์ความดันซิลิกอนแบบกระจาย
ไมโครไซเบอร์ คสช -พต105 ⅡS เครื่องส่งสัญญาณแรงดัน โปรไฟล์บัส พ พร้อม piezoresistive ขั้นสูง ครบกำหนดและเชื่อถือได้เซ็นเซอร์ความดันซิลิกอน ได้รับการออกแบบอย่างพิถีพิถันโดยผสมผสานเทคโนโลยีไมโครโปรเซสเซอร์ขั้นสูงและเทคโนโลยีการวัดความจุแบบดิจิตอล ฟังก์ชันที่ทรงพลังและความสามารถในการประมวลผลความเร็วสูงของไมโครโปรเซสเซอร์ทำให้มีคุณสมบัติที่ยอดเยี่ยม เช่น สมาร์ท ความแม่นยำสูง ความน่าเชื่อถือสูง ความเสถียรเป็นศูนย์ เป็นต้น โมดูล จอแอลซีดี สามารถแสดงพารามิเตอร์ทางกายภาพ (เช่น ความดัน อุณหภูมิ ฯลฯ) สามารถใช้งานฟังก์ชันต่างๆ เช่น การปรับเป็นศูนย์ การตั้งค่าช่วงโดยการกดปุ่ม และง่ายสำหรับการทดสอบภาคสนาม
คสช -พต105 ⅡS โปรไฟล์บัส พ เครื่องส่งสัญญาณความดัน สามารถวัดความดัน ความดันแตกต่าง ระดับของเหลว การไหล และพารามิเตอร์อุตสาหกรรมอื่น ๆ สามารถใช้กันอย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรมปิโตรเลียม เคมี ไฟฟ้า และโลหะวิทยา ฯลฯ
ด้วยการพัฒนาเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ ตัวบ่งชี้ทางเทคนิคต่างๆ ของการกระจายเซ็นเซอร์ความดันซิลิกอน ;ได้รับการปรับปรุงอย่างต่อเนื่อง แต่ฮิสเทรีซิสที่สอดคล้องกันโดยธรรมชาติและมีหลายค่าที่สอดคล้องกันและลักษณะไม่เชิงเส้นของเซ็นเซอร์ความดันซิลิกอนแบบกระจายได้จำกัดความแม่นยำในการวัด ในปัจจุบัน มีงานวิจัยค่อนข้างน้อยเกี่ยวกับลักษณะฮิสเทรีซิสของเซนเซอร์ทั้งในและต่างประเทศ วรรณกรรมที่มีอยู่พิสูจน์ว่าเป็นไปไม่ได้ที่จะใช้โครงข่ายประสาทเทียมเพื่อสร้างแบบจำลองโดยตรง งานของนักวิชาการส่วนใหญ่คือการปฏิบัติต่อความไม่เป็นเชิงเส้นของฮิสเทรีซิสเป็นความไม่เชิงเส้นทั่วไป และผลลัพธ์ไม่เป็นไปตามค่าตอบแทน ข้อกำหนดความแม่นยำ
หลักการทำงานของเซนเซอร์วัดแรงดันซิลิกอนแบบกระจายคือ: ใช้กระบวนการผลิตระนาบสารกึ่งตัวนำเพื่อสร้างตัวต้านทานแบบกระจายสี่ตัวที่มีความต้านทานเท่ากันบนพื้นผิวที่สอดคล้องกันของถ้วยซิลิกอน และสร้างสะพานวีทสโตนผ่านการเชื่อมต่อที่เหมาะสมของตัวต้านทานแบบกระจาย เมื่อไดอะแฟรมอยู่ภายใต้แรงกด เมื่อไดอะแฟรมเปลี่ยนรูปจากการกระทำ ความต้านทานบนสะพานไฟฟ้าจะเปลี่ยนตามไปด้วย เพื่อให้สะพานไฟฟ้าสูญเสียสถานะสมดุล ดังนั้นจะได้สัญญาณไฟฟ้าที่สอดคล้องกับการเปลี่ยนแปลงแรงดัน และวัตถุประสงค์ของการวัด ความดันสำเร็จ ความต้านทานของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์เปลี่ยนไปตามแรงที่กระทำ ซึ่งเป็นผลแบบ piezoresistive
1. วัตถุดิบ
วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ชนิดใดก็ตาม เนื่องจากความซับซ้อนของโครงสร้างองค์กรภายใน จะทำให้เกิดความเครียดระดับจุลภาคระหว่างเม็ดเล็กๆ หลังจากได้รับแรงกดดันจากแรงภายนอก เมื่อแรงภายนอกหายไป ความเครียดระดับจุลภาคจะหายไป แต่ไม่จำเป็นต้องกลับสู่สภาพเดิม วัสดุต่างๆ มีลักษณะฮิสเทรีซิสที่แตกต่างกันอย่างสิ้นเชิง ถึง
2. เงื่อนไขการติดตั้ง
สภาพพื้นผิว แรงบิดในการติดตั้ง ฯลฯ เป็นปัจจัยที่มีอิทธิพลมากที่สุด นอกจากนี้ยังหมายถึงเงื่อนไขการติดตั้งเซ็นเซอร์วัดแรงดันที่ไซต์การใช้งาน เช่น สภาพพื้นผิว พื้นที่สัมผัส แรงบิดในการติดตั้ง ความแข็งแรงของสลักเกลียว และความแข็งผิวตลับลูกปืน ปัจจัยที่มีอิทธิพลเหล่านี้บางครั้งอาจถูกเข้าใจผิดว่าเป็นการเสื่อมสภาพของลักษณะฮิสเทรีซิสของเซ็นเซอร์ ถึง
ปัจจัยที่มีอิทธิพลเหล่านี้สัมผัสโดยตรงกับเซ็นเซอร์ และปัจจัยอื่นๆ บางอย่างดูเหมือนจะไม่เกี่ยวข้องกับตัวเซ็นเซอร์เอง แต่จะส่งผลต่อความแม่นยำของเซ็นเซอร์ เช่น ความแข็งแรงของแท่นชั่ง ความแน่นของฐานราก การกันฝุ่นและน้ำ และปัจจัยอื่นๆ ปัจจัยทั้งสองนี้ ฝุ่นและน้ำ จะไม่ส่งผลกระทบภายใต้สภาวะการบำรุงรักษาที่ค่อนข้างดี แต่จำเป็นต้องได้รับการเอาใจใส่เป็นพิเศษเมื่อใช้งานกลางแจ้ง สาเหตุหลักคือพื้นผิวของเซ็นเซอร์สึกกร่อนซึ่งทำให้จุดสัมผัสเปลี่ยนไป โดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับผลิตภัณฑ์ที่มีอุปกรณ์เสริม สนิมจะทำให้อุปกรณ์เสริมและเซ็นเซอร์เกิดสนิม"สนิม"กันซึ่งจะส่งผลต่อความถูกต้อง สำหรับผลกระทบของฝุ่นที่มีต่อความแม่นยำของเซ็นเซอร์ ผู้ใช้ที่มีประสบการณ์จะใช้มาตรการป้องกันที่เหมาะสม เช่น เพิ่มฝาครอบซีลและทาเนยในปริมาณที่เหมาะสมบนพื้นผิว ถึง
หลังจากส่งผลกระทบต่อลักษณะฮิสเทรีซิสของเซ็นเซอร์ จึงส่งผลต่อความแม่นยำในการวัด ควรหลีกเลี่ยงให้มากที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้ในกระบวนการผลิตและการใช้งานจริง เพื่อให้มั่นใจถึงประสิทธิภาพที่มั่นคงในการใช้งานระยะยาว
